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MOS管参数大全
Mosfet参数意义阐明 Features: Vds： DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压 Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻 Id： 最大DS电流.会随温度的增加而下降 Vgs: 最大GS电压.通常为：-20V~+20Vwww.kiaic.com/article/detail/159.html 2018-03-29
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mos管参数大全,mos管功率各种参数大全
向传输电容 Crss = CGD . Coss:输出电容 Coss = CDS +CGD . Ciss:输入电容 Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路).Tf :下降时刻.输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时刻.Td(off) :关断延迟时刻.输入电压下降到 90% 开端到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时刻. Tr ...www.kiaic.com/article/detail/160.html 2018-03-29
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如何估算MOS管电压驱动
Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到） Tr：上升时刻。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时刻td(on)：MOS导通延迟时刻，从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时刻。Ton=t3-t0≈td(on)+trwww.kiaic.com/article/detail/161.html 2018-03-29
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MOS管跨导测试
用测电阻法区分结型场效应管的电极对VMOSV沟道增强型场效应管丈量跨导性能时，可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D，这就持平于在源、漏极之间加了一个反向电压。此刻栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档，此刻...www.kiaic.com/article/detail/162.html 2018-03-29
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什么是N沟道MOS管场效应管
N沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS管的结构基本相同。差别在于耗尽型MOS管的Si02绝缘层中掺有大量的正离子Na+或K+（制造P沟道耗尽型MOS管时掺人负离子），故在UCs=0时，这些正离子产生的电场作用下，漏极一源极间的P型衬底表面也能感应天生N沟道（称为初始沟道...www.kiaic.com/article/detail/163.html 2018-03-29
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MOS管在电路中有什么作用
MOS又分为兩种，一种为耗尽型（DepletionMOS），另一种为增强型（EnhancementMOS）。因为场效应管拓展器的输入阻抗很高，因而耦合电容能够容量较小，不必运用电解电容器。能够利便地用作恒流源也能够用作电子开关。它作用特征:开关速度快、高频任机能好，输入阻...www.kiaic.com/article/detail/164.html 2018-03-29
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电源系统应用元件特征
近年来的发展方向是将小功率电源系统集成在一个芯片上，可以使电源产品更为紧凑，体积更小，也减小了引线长度，从而减小了寄生参数。对高频磁元件所用的磁性材料，要求其损耗小、散热机能好、磁机能优胜。 碳化硅(SiC)是功率半导体器件晶片的理想材料，其长处是...www.kiaic.com/article/detail/165.html 2018-03-29
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电源治理的技术趋势
跟着科学技术的发展，电源技术又与现代控制理论、材料科学、电机工程、微电子技术等很多领域紧密亲密相关。开关电源在电源技术中据有重要地位，从20kHz发展到高不乱度、大容量、小体积、开关频率达兆赫兹的高频开关电源，为高频变换提供了物质基础，促进了电源...www.kiaic.com/article/detail/167.html 2018-03-29
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电子信息产品的定义
半导体材料 一、半导体材料 半导体单晶 硅单晶 锗单晶 化合物单晶 2.半导体片材 其他半导体片材 半导体外延片 半导体抛光片 半导体封装材料www.kiaic.com/article/detail/168.html 2018-03-29
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高频开关电源领域
在实际应用中，起到开关使用的是开关晶体管。控制电路产生一固定频率的脉冲宽度可调的方波(PWM)。 当S1为低电平时，VT1截止，变压器T绕组中的电压反向，二极管VD2截止，续流二极管VD1导通，存储在电感L中的能量继承传递给负载RL。电感L和电容C同时还起到滤波的...www.kiaic.com/article/detail/169.html 2018-03-29
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MOS管基本知识,详细详解mos管基本知识的作用
MOS管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，英文MOSFET，属于绝缘栅型。本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话简单描述。沟道下边的p型中间一个窄长条就是沟道，使得左右两块P型极连在一起，因此mos管导通后是电阻特性，因此它的一...www.kiaic.com/article/detail/170.html 2018-03-29
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NOS工作基本知识
结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、...www.kiaic.com/article/detail/171.html 2018-03-29
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设计与制造的主要流程
半导体器件物理基础：包括PN结的物理机制、双极管、MOS管的工作原理等 器件 小规模电路 大规模电路 超大规模电路 甚大规模电路 电路的制备工艺：光刻、刻蚀、氧化、离子注入、扩散、化学气相淀积、金属蒸发或溅射、封装等工序 集成电路设计：另一重要环节，最能...www.kiaic.com/article/detail/172.html 2018-03-29
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led驱动电源设计实例
功率管发烧?要留意，大多数场合特别是LED市电驱动应用，开关损害要弘远于导通损耗。频率与导通损耗也成正比，所以功率管发烧时，首先要想想是不是频率选择的有点高。 B、剩下的就是频率和芯片驱动能力了，这里只谈频率的影响。假如电感饱和电流够大，可以考虑...www.kiaic.com/article/detail/173.html 2018-03-29